頬粘膜の微小核細胞数に対する限られた体積のコーンビーム計算トモグラフィーの効果

電離放射線は、組織に直接的および間接的な影響を与える、ヒト集団におけるよく知られた変異原および発がん物質です。 切断、DNA鎖の架橋、塩基の変化または喪失、水素結合の破壊など、さまざまなメカニズムを通じて組織に損傷を与える可能性があります. これらの放射線は、口腔粘膜、唾液腺、象牙質、およびエナメル質に変化を引き起こし、口腔乾燥症、粘膜炎、および放射線関連の虫歯を引き起こします。

口腔粘膜細胞は、歯科レントゲン撮影技術で直接放射線にさらされ、放射線誘発損傷の主要な標的として機能します。 また、上皮細胞の増殖性が高く、採取・研究が容易です。 異常構造である小核は、物理的および化学的要因による核分裂の後期に遅れる染色体断片または染色体全体に由来します。 小核指数は、in vivo または in vitro の遺伝毒性学で使用される標準的な細胞遺伝学的エンドポイントおよびバイオマーカーの 1 つになりました 2。 健康な上皮組織では、これらの MNi は 0.5 ～ 2.5 MNi/1000 細胞の範囲です。 研究では、放射線やその他の遺伝毒性物質にさらされた個人の頻度が増加することが示されています。

しかし、これらの研究では、小および中程度の FOV での小核への影響が観察されましたが、放射線による損傷は、高解像度を含むより小さな FOV で主に見られ、それによってより多くの放射線被ばくを引き起こします。

これを念頭に置いて、この研究の目的は、小さな FOV で異なるボクセル サイズ (90 および 200) で CBCT 曝露後に PAP 塗抹標本の助けを借りて、頬上皮細胞の平均微小核細胞数を観察し、相関させることです。 これは有益であることを証明し、CBCT後の頬粘膜の細胞遺伝学的損傷と悪性化の可能性に光を当てる可能性があります.