心房中隔欠損症の経皮的閉鎖後の心電図的および電気生理学的変化

心房中隔欠損症（ASD）は、アチアノーゼ性の先天性心疾患の最も一般的なタイプの 1 つで、全先天性心疾患の 6 ～ 10% を占めます。 これらは、成人期に診断される最も一般的な先天性心疾患です。 二次二次 ASD は、卵円窩 (一次中隔)、または二次中隔の上肢の欠陥であり、最も一般的なタイプの ASD (全 ASD の 80%) です。

右心室（RV）容積過負荷の証拠があり、肺動脈性高血圧症（PAH）や左心室（LV）疾患がない患者には、症状に関係なく二次隔膜のASD閉鎖が推奨されます。 経皮的デバイス閉鎖は、重篤な合併症のリスクが低いと報告されている実行可能な形態（患者の 1% 以下）が存在する場合、二次欠損閉鎖の第一選択となっています。

ASD 患者では、無症候性心電図 (ECG) 異常、洞房結節 (SAN) および房室結節 (AVN) 伝導異常が報告されています。 。 ASD デバイス閉鎖後の AVN ブロックの報告された発生率は、ゼロから最大 6.1% まで大きく異なります。 デバイス閉鎖後の高度な AVN ブロックは通常、手術後 24 時間以内に発生し、心臓ブロックを解決するにはデバイスの取り外しが必要となる場合があります。

ASD デバイス閉塞後の AVN ブロックのメカニズムは、AV 結節への機械的圧力または外傷に関連した浮腫によるものである可能性があります。 年齢が若く、欠損やデバイスのサイズが大きい場合は、AVN ブロックの危険因子となる可能性があります。 ASD のリムの欠陥も AVN ブロックの発達に影響を与える可能性があります。

ASD デバイスの閉鎖が AVN と SAN の機能特性に直接的な影響を与えるかどうかは、十分に解明されていません。 処置の前後に AVN と SAN の心電図および電気生理学的 (EP) パラメーターをテストすることは、明らかに実際のリスクを理解するのに役立ちます。