두개내 죽상동맥경화증에서 재발성 뇌졸중 예측을 위한 FcγRIIa의 혈소판 발현과 동맥 혈류역학 (FCG)

두개내 죽상동맥경화증(ICAD)으로 인한 재발성 허혈성 뇌졸중은 항혈소판제 치료에도 불구하고 매우 흔합니다. 동맥 구조의 이질성과 ICAD 관련 협착의 관련 혈류 변화로 인해 개인마다 벽 전단 응력(WSS) 패턴이 달라집니다. 이러한 벽 전단 응력은 ICAD로 인한 경미한 뇌졸중 또는 일과성 허혈 발작(TIA) 환자에서 일상적으로 획득하는 비침습적 CT 혈관 조영술(CTA)의 전산유체역학(CFD)으로 쉽게 정량화할 수 있습니다. 혈류의 이러한 전단 응력 변화는 혈소판 응집을 촉진하여 항혈소판 요법에 대한 반응을 변경합니다. 또한, 더 큰 혈소판 FcγRIIa 발현은 혈소판 반응성을 증가시키고 혈소판이 증가된 전단 응력에 노출될 때 혈전증을 촉진합니다. 관상 순환에서 FcγRIIa의 더 큰 혈소판 발현은 뇌졸중을 포함한 재발성 심혈관 사건의 더 큰 위험이 있는 환자를 식별합니다. ICAD에서 허혈의 재발에서 수많은 기전이 호출되었지만 전단 응력 및 혈소판 활성화의 병태생리학에 초점을 맞춘 연구는 ICAD로 인한 경미한 뇌졸중 또는 TIA에 따른 영상 증거 및 임상 뇌졸중의 높은 비율을 설명하기 위해 평가되지 않았습니다. 관상 동맥 질환과 ICAD의 공통된 병리학을 고려할 때, 데이터는 CFD 유래 WSS 및 혈소판 FcγRIIa 발현의 개인차가 재발성 뇌졸중을 예방하기 위한 정밀 의학 전략을 알릴 수 있음을 시사합니다. 연구자들은 랜드마크 SAMMPRIS 시험의 데이터를 포함하여 정밀 3D 뇌혈관 모델을 사용하여 ICAD의 협착에서 WSS의 CTA CFD 값을 검증하는 새로운 접근 방식을 개발했습니다. 다른 협력에서 연구자들은 ICAD에서 뇌졸중 재발에 대한 상승된 WSS의 잠재적 영향을 개별적으로 연구하고 ICAD에서 재발성 뇌졸중의 메커니즘에 대한 관찰 다기관 연구를 수행했습니다. 조사자들과 다른 사람들은 더 큰 혈소판 FcγRIIa 발현이 작용제와 전단 응력에 대한 반응으로 혈소판의 활성화를 증가시킨다는 것을 입증했습니다. 이러한 시너지 효과를 통해 환자별 CTA CFD에서 계산된 FcγRIIa 및 WSS의 개별 혈소판 발현과 항혈소판 요법의 상호 작용이 경미한 뇌졸중 또는 ICAD로 인한 TIA 후 재발성 허혈을 어떻게 설명할 수 있는지 조사할 수 있습니다. 연구자들은 경미한 뇌졸중 또는 ICAD로 인한 TIA 후 1년까지 MRI 및 임상 뇌졸중에서 재발성 무증상 허혈의 발생률이 혈소판 FcγRIIa 발현 및 협착증으로 인한 WSS의 초점 상승으로 결정되는 개별 위험을 정량화하여 예측할 것이라고 가정합니다.