- ICH GCP
- Registro de ensayos clínicos de EE. UU.
- Ensayo clínico NCT06547996
Efectos de tES combinados con la práctica de recuperación sobre la memoria semántica en pacientes con esquizofrenia
Efectos de la estimulación eléctrica transcraneal combinada con la práctica de recuperación sobre la memoria semántica en pacientes con esquizofrenia
El déficit de procesamiento semántico constituye una característica central de las anomalías cognitivas en la esquizofrenia. Se ha demostrado que tanto la estimulación eléctrica transcraneal (tES) como la práctica de recuperación son técnicas externas capaces de mejorar el déficit de procesamiento semántico en individuos con esquizofrenia. La investigación examina si el efecto combinado de tES y la práctica de recuperación, después de la intervención de tES dirigida a la corteza prefrontal dorsolateral izquierda (L-DLPFC) en pacientes con esquizofrenia, contribuye a la preservación de la memoria semántica en estos individuos.
Los investigadores planean reclutar a 60 pacientes diagnosticados con esquizofrenia en los hospitales. El tratamiento lo administran dos examinadores, cada paciente recibe estimulación eléctrica transcraneal (2 mA × 20 min) con aprendizaje simultáneo de listas de palabras. Cada participante de cada tipo de estimulación participó en ambas condiciones de aprendizaje, lo que significa que todos los participantes completaron el aprendizaje y las pruebas de recuperación y reestudio. Posteriormente, los investigadores observaron el rendimiento de su memoria inmediata y retrasada a través de pruebas.
Descripción general del estudio
Estado
Condiciones
Intervención / Tratamiento
Descripción detallada
Fase de estimulación:
En el grupo tDCS, el ánodo se colocó sobre el DLPFC izquierdo (F3) y el cátodo sobre el área supraorbitaria contralateral (FP2). Se aplicó una corriente continua de 2 mA durante 20 minutos durante cada sesión de estimulación. En el grupo tACS, el ánodo se colocó en la región F3 de la corteza prefrontal dorsolateral izquierda (DLPFC), y el cátodo en la región supraorbitaria derecha (Fp2), y la corriente utilizada fue de 2 mA AC a 40 Hz, con un tiempo de estimulación de 20 min. En el grupo simulado, los parámetros de estimulación, incluido el sitio de estimulación y la duración, fueron idénticos a los del grupo anódico. Sin embargo, durante los períodos de aumento y disminución de 10 segundos antes y después de la estimulación, los pacientes no sabían que la corriente estaba cortada.
Fase de aprendizaje:
El procedimiento experimental siguió el paradigma clásico de la práctica de recuperación, que incluyó una fase de aprendizaje y una fase de prueba final.
Durante el experimento, se informó a los participantes que aprenderían dos listas de palabras. Posteriormente, es posible que vuelvan a aprender las palabras o que completen una prueba de recuperación de listas, y poco después se les realizará una prueba final. El aprendizaje de la lista de prácticas de recuperación y la lista de reestudio se realizó de forma aleatoriamente equilibrada. Cada palabra se presentó durante 5 segundos, con un intervalo de 500 milisegundos entre palabras. Para evitar proporcionar pistas de recuperación secundaria entre ejemplos, todas las palabras se mezclaron de forma pseudoaleatoria dentro de las categorías. Cada lista contenía 17 palabras, que constaban de 5 ejemplos de cada una de las 3 categorías experimentales (15 ejemplos experimentales, 2 ejemplos de relleno). La primera y la última palabra presentadas en cada lista fueron palabras de relleno, controlando así los efectos de primacía y actualidad en la memoria.
Para la lista de práctica de recuperación, los participantes se sometieron a dos sesiones de aprendizaje y dos sesiones de recuperación (S-T-S-T). Durante la recuperación, se pidió a los participantes que escribieran todas las palabras que acababan de recordar en 5 minutos. Para la lista de reestudio, los participantes se sometieron a cuatro sesiones de estudio (S-S-S-S). Entre cada ciclo de aprendizaje, los participantes completaron una tarea aritmética simple de 3 minutos (tarea de atención dispersa).
- Fase de prueba:
Prueba inmediata: se pidió a los participantes que recordaran tantas palabras como fuera posible de las listas aprendidas dentro de los 10 minutos posteriores a completar todas las tareas de aprendizaje.
Prueba retrasada: se informó a los participantes que recordaran tantas palabras como fuera posible de las listas aprendidas dentro de los 10 minutos 24 horas después.
Tipo de estudio
Inscripción (Actual)
Fase
- No aplica
Contactos y Ubicaciones
Ubicaciones de estudio
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Gansu
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Lanzhou, Gansu, Porcelana, 730070
- Northwest Normal University
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Criterios de participación
Criterio de elegibilidad
Edades elegibles para estudiar
- Adulto
Acepta Voluntarios Saludables
Descripción
Criterios de inclusión:
- Cumplir con los criterios diagnósticos de esquizofrenia según el Manual Diagnóstico y Estadístico de los Trastornos Mentales, Quinta Edición (DSM-5);
- Tener 18 años o más, sin distinción de género, con nivel educativo de primaria o superior;
- Todos los pacientes recibieron tratamiento con medicación antipsicótica de nivel estable, se encontraban en una fase estable del tratamiento de la enfermedad, podían comprender los requisitos de las pruebas y cooperaron para completar todas las tareas de investigación;
- Sin antecedentes de trastornos neurológicos u otras enfermedades físicas graves, ni antecedentes de discapacidad intelectual;
- Sin daltonismo, debilidad de los colores u otras deficiencias en la visión de los colores, con visión normal o corregida.
Criterios de exclusión:
- Deterioro cognitivo claro causado por lesiones orgánicas somáticas o cerebrales, como enfermedades cerebrovasculares, traumatismo craneoencefálico, etc.;
- Personas con trastornos mentales causados por dependencia o abuso de sustancias, o el uso de sustancias psicoactivas;
- Historia de lesión cerebral u otras enfermedades orgánicas relacionadas con el sistema nervioso central;
- Individuos con riesgo significativo de suicidio o de dañar a otros;
- Participación en experimentos similares en los últimos 30 días antes del inicio.
Plan de estudios
¿Cómo está diseñado el estudio?
Detalles de diseño
- Propósito principal: Tratamiento
- Asignación: Aleatorizado
- Modelo Intervencionista: Asignación paralela
- Enmascaramiento: Único
Armas e Intervenciones
Grupo de participantes/brazo |
Intervención / Tratamiento |
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Comparador falso: grupo falso
En el grupo simulado, los parámetros de estimulación, incluido el sitio de estimulación y la duración, fueron idénticos a los del grupo anódico.
Sin embargo, durante los períodos de aumento y disminución de 10 segundos antes y después de la estimulación, los pacientes no sabían que la corriente estaba cortada.
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0mA/20min/sesión
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Experimental: grupo tDCS
En el grupo tDCS, el ánodo se colocó sobre el DLPFC izquierdo (F3) y el cátodo sobre el área supraorbitaria contralateral (FP2).
Se aplicó una corriente continua de 2 mA durante 20 minutos durante cada sesión de estimulación.
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2mA/20min/sesión
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Experimental: grupo tacs
En el grupo tACS, el ánodo se colocó en la región F3 de la corteza prefrontal dorsolateral izquierda (DLPFC), y el cátodo en la región supraorbitaria derecha (Fp2), y la corriente utilizada fue de 2 mA AC a 40 Hz, con un tiempo de estimulación de 20 min.
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2mA/40Hz/20min/sesión
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¿Qué mide el estudio?
Medidas de resultado primarias
Medida de resultado |
Medida Descripción |
Periodo de tiempo |
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La tasa de recuperación correcta de listas de palabras
Periodo de tiempo: Prueba Inmediata: 5 minutos; Prueba retrasada: 24 horas
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El asistente experimental calculó la tasa de recuperación correcta de listas de palabras para cada sujeto.
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Prueba Inmediata: 5 minutos; Prueba retrasada: 24 horas
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Relación ajustada de agrupación (ARC)
Periodo de tiempo: Prueba Inmediata: 5 minutos; Prueba retrasada: 24 horas
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La organización del recuerdo libre se midió mediante las puntuaciones del índice ajustado de agrupamiento (ARC).
Las puntuaciones ARC varían de 1 a 1.
Una puntuación de 0 indica un nivel de agrupamiento similar al que se esperaría por casualidad, y una puntuación de 1 implica un agrupamiento perfecto.
Los valores negativos de las puntuaciones ARC significan patrones de recuerdo atípicos e ininterpretables.
Por ese motivo, las puntuaciones negativas se excluyeron de los análisis.
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Prueba Inmediata: 5 minutos; Prueba retrasada: 24 horas
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Colaboradores e Investigadores
Patrocinador
Investigadores
- Investigador principal: Xiaofeng Ma, Professor, Northwest Normal University
Publicaciones y enlaces útiles
Publicaciones Generales
- Javadi AH, Cheng P. Transcranial direct current stimulation (tDCS) enhances reconsolidation of long-term memory. Brain Stimul. 2013 Jul;6(4):668-74. doi: 10.1016/j.brs.2012.10.007. Epub 2012 Oct 31.
- Sreeraj VS, Shivakumar V, Sowmya S, Bose A, Nawani H, Narayanaswamy JC, Venkatasubramanian G. Online Theta Frequency Transcranial Alternating Current Stimulation for Cognitive Remediation in Schizophrenia: A Case Report and Review of Literature. J ECT. 2019 Jun;35(2):139-143. doi: 10.1097/YCT.0000000000000523.
- Hoy KE, Whitty D, Bailey N, Fitzgerald PB. Preliminary investigation of the effects of gamma-tACS on working memory in schizophrenia. J Neural Transm (Vienna). 2016 Oct;123(10):1205-12. doi: 10.1007/s00702-016-1554-1. Epub 2016 Apr 26.
- Marko M, Cimrova B, Riecansky I. Neural theta oscillations support semantic memory retrieval. Sci Rep. 2019 Nov 27;9(1):17667. doi: 10.1038/s41598-019-53813-y.
- Crossman M, Bartl G, Soerum R, Sandrini M. Effects of transcranial direct current stimulation over the posterior parietal cortex on episodic memory reconsolidation. Cortex. 2019 Dec;121:78-88. doi: 10.1016/j.cortex.2019.08.009. Epub 2019 Aug 28.
- McKay AP, McKenna PJ, Bentham P, Mortimer AM, Holbery A, Hodges JR. Semantic memory is impaired in schizophrenia. Biol Psychiatry. 1996 Jun 1;39(11):929-37. doi: 10.1016/0006-3223(95)00250-2.
Fechas de registro del estudio
Fechas importantes del estudio
Inicio del estudio (Actual)
Finalización primaria (Actual)
Finalización del estudio (Actual)
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- No.2023025
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Estudia un producto farmacéutico regulado por la FDA de EE. UU.
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