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Sondaggio dell'efficacia della stimolazione V5/MT sulla lettura e misure correlate alla lettura in bambini e adolescenti con dislessia evolutiva

2 agosto 2023 aggiornato da: Deny Menghini, Bambino Gesù Hospital and Research Institute

Il presente studio si basa sull'assenza di un trattamento basato sull'evidenza in individui con dislessia evolutiva (DD). A questo argomento, il presente studio esplorerà il potenziale effetto della stimolazione transcranica a corrente continua (tDCS) sulla via del nucleo genicolato laterale diretto dell'emisfero sinistro (LGN) -V5/MT, aree cerebrali solitamente interrotte negli individui con DD.

I ricercatori hanno ipotizzato che la tDCS attiva su V5/MT aumenterà le capacità di lettura nei bambini e negli adolescenti con DD. Al contrario, tDCS sham (condizione placebo) su V5/MT o tDCS attiva (condizione di controllo) su V1 non avranno un effetto significativo nel migliorare le capacità di lettura. Inoltre, sia la tDCS attiva che quella fittizia saranno sicure e ben tollerate.

Panoramica dello studio

Descrizione dettagliata

Negli ultimi decenni, un numero enorme di studi ha rivelato che la dislessia evolutiva (DD), un disturbo del neurosviluppo cerebrale caratterizzato da una compromissione grave e persistente nell'acquisizione delle capacità di lettura (American Psychiatry Association, 2013) può dipendere da molteplici disturbi neurocognitivi, che vanno dai deficit linguistici specifici a quelli cognitivo-generali (Menghini et al., 2010). Oltre all'ipotesi più influente di un deficit di base fonologico (Snowling, 2000; Vellutino et al., 2004; Melby-Lervåg, Lyster, & Hulme, 2012), ci sono anche prove di difficoltà nell'elaborazione delle informazioni visuo-temporali di basso livello, come sostiene la teoria del deficit magnocellulare (Schulte-Körne & Bruder, 2010; Vidyasagar & Pammer, 2010), così come per i deficit attenzionali visuo-spaziali (Franceschini et al., 2012; Bosse, Tainturier & Valdois, 2007), visivo-spaziale menomazioni percettive (Stenneken et al., 2011; Giovagnoli et al., 2016; Wang et al., 2014) e deficit di velocità di denominazione automatizzata rapida (RAN) (Bowers & Wolf, 1993; Wolf & Bowers, 1999).

Studi replicati di neuroimaging strutturale/funzionale hanno dimostrato un'ipoattivazione DD relativa a lettori tipici nelle regioni temporo-occipitale sinistra, critiche per l'elaborazione visiva automatica di stringhe di parole o caratteri stampati (Richlan, Kronbichler & Wimmer, 2011) e nella regione temporo-occipitale sinistra. regioni parietali importanti per la mappatura da grafema a fonema (Richlan, 2012).

Inoltre, i risultati di modelli animali e studi post mortem nell'uomo suggeriscono che la DD potrebbe anche essere associata ad alterazioni strutturali nelle vie sensoriali sottocorticali, in particolare nei nuclei talamici visivi e uditivi e nelle loro connessioni con le cortecce sensoriali di ordine superiore (cioè l'emisferico sinistro via diretta del nucleo genicolato laterale (LGN)-V5/MT e via diretta del corpo genicolato mediale (MGB)-mPT dell'emisfero sinistro; Livingstone et al., 1991; Galaburda, Menard, & Rosen, 1994; Giraldo-Chica, Hegarty, & Schneider, 2015; Müller-Axt, Anwander & von Kriegstein, 2017; Tschentscher et al., 2019). Inoltre, negli adulti con DD, la forza della connettività V5/MT-LGN sinistra era correlata alle abilità RAN, un deficit chiave nella DD (Müller-Axt, Anwander & von Kriegstein, 2017).

Numerosi studi hanno dimostrato l'effetto positivo della stimolazione transcranica a corrente continua (tDCS), una stimolazione cerebrale non invasiva utilizzata per modificare transitoriamente l'attività neurale delle aree bersaglio (Kirimoto et al., 2011), sulla lettura (Turkeltaub et al., 2012; Younger et al., 2016; Younger & Booth, 2018) e, in particolare, in DD (Heth & Lavidor, 2015, Costanzo et al., 2016a; Costanzo et al., 2016b; Costanzo et al., 2019; Rios et al., 2018; Lazzaro et al., 2020; Lazzaro et al., 2021; Battisti et al., 2022).

Tuttavia, i pochi studi di stimolazione cerebrale non invasiva sul miglioramento della lettura nella DD hanno prodotto risultati eterogenei (Heth & Lavidor, 2015; Costanzo et al., 2019; Costanzo et al., 2016a; Lazzaro et al., 2020; Rios et al. , 2018) e questa variabilità potrebbe essere in parte dovuta alla mancanza di comprensione neurobiologica del meccanismo DD sottostante o all'uso della tDCS tradizionale piuttosto che di una tecnica più focale come la tDCS ad alta definizione (HD-tDCS).

A partire da questo, lo scopo del presente studio è testare l'efficacia di una tecnica di stimolazione all'avanguardia (ad esempio, HD-tDCS) in un esperimento all'interno del soggetto che coinvolge bambini e adolescenti con DD. In particolare, lavoreremo per testare i) l'effetto specifico dell'HD-tDCS sulle cortecce sensoriali di ordine superiore (cioè V5/MT vs V1) sulla lettura nei bambini con DD; ii) le precondizioni ei meccanismi neurobiologici che portano a risultati terapeutici elevati.

Se la stimolazione su V5/MT è efficace e specificamente correlata al miglioramento della lettura, i nostri risultati potrebbero aiutare a i) comprendere il contributo e il meccanismo neurobiologico di V5/MT nella lettura di bambini e adolescenti con DD; ii) selezionare i criteri per i potenziali responder alla stimolazione cerebrale non invasiva; iii) sviluppare interventi basati sull'evidenza nella DD.

Tipo di studio

Interventistico

Iscrizione (Stimato)

36

Fase

  • Non applicabile

Contatti e Sedi

Questa sezione fornisce i recapiti di coloro che conducono lo studio e informazioni su dove viene condotto lo studio.

Contatto studio

Backup dei contatti dello studio

Luoghi di studio

      • Roma, Italia, 00165
        • Reclutamento
        • Bambino Gesù Hospital and Research Institute
        • Investigatore principale:
          • Deny Menghini
        • Contatto:
        • Contatto:

Criteri di partecipazione

I ricercatori cercano persone che corrispondano a una certa descrizione, chiamata criteri di ammissibilità. Alcuni esempi di questi criteri sono le condizioni generali di salute di una persona o trattamenti precedenti.

Criteri di ammissibilità

Età idonea allo studio

  • Bambino

Accetta volontari sani

Descrizione

Criterio di inclusione:

  • bambini e adolescenti destrimani con dislessia di lingua italiana (DSM-5, APA 2013);
  • Precisione e/o velocità di lettura di parole/non parole/testo almeno 2 deviazioni standard al di sotto della media per l'età scolare;
  • nv QI ≥ 85;
  • udito normale e visione normale o corretta.

Criteri di esclusione:

  • Avere una comorbilità con altra diagnosi psichiatrica/neurologica primaria (ad esempio, depressione, ansia, autismo, ADHD);
  • Avere una storia personale di malattie neurologiche/mediche/genetiche;
  • Avere un trattamento farmacologico in corso che influenza la funzione cerebrale;
  • Avere epilessia o storia familiare di epilessia.

Piano di studio

Questa sezione fornisce i dettagli del piano di studio, compreso il modo in cui lo studio è progettato e ciò che lo studio sta misurando.

Come è strutturato lo studio?

Dettagli di progettazione

  • Scopo principale: Trattamento
  • Assegnazione: Randomizzato
  • Modello interventistico: Assegnazione incrociata
  • Mascheramento: Doppio

Armi e interventi

Gruppo di partecipanti / Arm
Intervento / Trattamento
Sperimentale: HD-tDCS V5/MT, HD-tDCS V1, Sham
  1. HD-tDCS attivo su V5/MT
  2. HD-tDCS attivo su V1
  3. Sham HD-tDCS su V5/MT o V1
Per HD-tDCS verrà utilizzato un montaggio 4 × 1 (Kessler et al., 2013), piccoli elettrodi circolari (diametro 1 cm) con l'anodo posizionato centralmente con un'intensità di corrente di 1 mA per un totale di 20 minuti (30 s rampa salita/discesa). In tal modo, l'elettrodo anodico modula l'eccitabilità dell'area mirata a sinistra V5/MT, mentre gli altri 4 elettrodi restituiscono correnti elettriche che scorrono via da quell'area. V5/MT sarà localizzato tramite procedure pubblicate e il posizionamento dell'elettrodo sarà effettuato secondo il sistema 10-20 International EEG 10-20 per il posizionamento degli elettrodi.
Per HD-tDCS verrà utilizzato un montaggio 4 × 1 (Kessler et al., 2013), piccoli elettrodi circolari (diametro 1 cm) con l'anodo posizionato centralmente con un'intensità di corrente di 1 mA per un totale di 20 minuti (30 s rampa salita/discesa). In tal modo, l'elettrodo anodico modula l'eccitabilità dell'area mirata sinistra V1, mentre gli altri 4 elettrodi restituiscono correnti elettriche che scorrono via da quell'area. V1 sarà localizzato tramite procedure pubblicate e il posizionamento degli elettrodi sarà effettuato secondo il sistema 10-20 International EEG 10-20 per il posizionamento degli elettrodi.
Sham HD-tDCS verrà erogato su V5/MT sinistro o V1 sinistro. Verranno utilizzati lo stesso posizionamento degli elettrodi e l'impostazione della stimolazione come nelle condizioni di stimolazione attiva, ma la corrente verrà applicata per 30 s e verrà ridotta gradualmente (0 mA) durante il resto della sessione senza che i partecipanti se ne accorgano . .
Sperimentale: HD-tDCS V5/MT, Sham, HD-tDCS V1
  1. HD-tDCS attivo su V5/MT
  2. Sham HD-tDCS su V5/MT o V1
  3. HD-tDCS attivo su V1
Per HD-tDCS verrà utilizzato un montaggio 4 × 1 (Kessler et al., 2013), piccoli elettrodi circolari (diametro 1 cm) con l'anodo posizionato centralmente con un'intensità di corrente di 1 mA per un totale di 20 minuti (30 s rampa salita/discesa). In tal modo, l'elettrodo anodico modula l'eccitabilità dell'area mirata a sinistra V5/MT, mentre gli altri 4 elettrodi restituiscono correnti elettriche che scorrono via da quell'area. V5/MT sarà localizzato tramite procedure pubblicate e il posizionamento dell'elettrodo sarà effettuato secondo il sistema 10-20 International EEG 10-20 per il posizionamento degli elettrodi.
Per HD-tDCS verrà utilizzato un montaggio 4 × 1 (Kessler et al., 2013), piccoli elettrodi circolari (diametro 1 cm) con l'anodo posizionato centralmente con un'intensità di corrente di 1 mA per un totale di 20 minuti (30 s rampa salita/discesa). In tal modo, l'elettrodo anodico modula l'eccitabilità dell'area mirata sinistra V1, mentre gli altri 4 elettrodi restituiscono correnti elettriche che scorrono via da quell'area. V1 sarà localizzato tramite procedure pubblicate e il posizionamento degli elettrodi sarà effettuato secondo il sistema 10-20 International EEG 10-20 per il posizionamento degli elettrodi.
Sham HD-tDCS verrà erogato su V5/MT sinistro o V1 sinistro. Verranno utilizzati lo stesso posizionamento degli elettrodi e l'impostazione della stimolazione come nelle condizioni di stimolazione attiva, ma la corrente verrà applicata per 30 s e verrà ridotta gradualmente (0 mA) durante il resto della sessione senza che i partecipanti se ne accorgano . .
Sperimentale: HD-tDCS V1, HD-tDCS V5/MT, Sham
  1. HD-tDCS attivo su V1
  2. HD-tDCS attivo su V5/MT
  3. Sham HD-tDCS su V5/MT o V1
Per HD-tDCS verrà utilizzato un montaggio 4 × 1 (Kessler et al., 2013), piccoli elettrodi circolari (diametro 1 cm) con l'anodo posizionato centralmente con un'intensità di corrente di 1 mA per un totale di 20 minuti (30 s rampa salita/discesa). In tal modo, l'elettrodo anodico modula l'eccitabilità dell'area mirata a sinistra V5/MT, mentre gli altri 4 elettrodi restituiscono correnti elettriche che scorrono via da quell'area. V5/MT sarà localizzato tramite procedure pubblicate e il posizionamento dell'elettrodo sarà effettuato secondo il sistema 10-20 International EEG 10-20 per il posizionamento degli elettrodi.
Per HD-tDCS verrà utilizzato un montaggio 4 × 1 (Kessler et al., 2013), piccoli elettrodi circolari (diametro 1 cm) con l'anodo posizionato centralmente con un'intensità di corrente di 1 mA per un totale di 20 minuti (30 s rampa salita/discesa). In tal modo, l'elettrodo anodico modula l'eccitabilità dell'area mirata sinistra V1, mentre gli altri 4 elettrodi restituiscono correnti elettriche che scorrono via da quell'area. V1 sarà localizzato tramite procedure pubblicate e il posizionamento degli elettrodi sarà effettuato secondo il sistema 10-20 International EEG 10-20 per il posizionamento degli elettrodi.
Sham HD-tDCS verrà erogato su V5/MT sinistro o V1 sinistro. Verranno utilizzati lo stesso posizionamento degli elettrodi e l'impostazione della stimolazione come nelle condizioni di stimolazione attiva, ma la corrente verrà applicata per 30 s e verrà ridotta gradualmente (0 mA) durante il resto della sessione senza che i partecipanti se ne accorgano . .
Sperimentale: HD-tDCS V1, Sham, HD-tDCS V5/MT
  1. HD-tDCS attivo su V1
  2. Sham HD-tDCS su V5/MT o V1
  3. HD-tDCS attivo su V5/MT
Per HD-tDCS verrà utilizzato un montaggio 4 × 1 (Kessler et al., 2013), piccoli elettrodi circolari (diametro 1 cm) con l'anodo posizionato centralmente con un'intensità di corrente di 1 mA per un totale di 20 minuti (30 s rampa salita/discesa). In tal modo, l'elettrodo anodico modula l'eccitabilità dell'area mirata a sinistra V5/MT, mentre gli altri 4 elettrodi restituiscono correnti elettriche che scorrono via da quell'area. V5/MT sarà localizzato tramite procedure pubblicate e il posizionamento dell'elettrodo sarà effettuato secondo il sistema 10-20 International EEG 10-20 per il posizionamento degli elettrodi.
Per HD-tDCS verrà utilizzato un montaggio 4 × 1 (Kessler et al., 2013), piccoli elettrodi circolari (diametro 1 cm) con l'anodo posizionato centralmente con un'intensità di corrente di 1 mA per un totale di 20 minuti (30 s rampa salita/discesa). In tal modo, l'elettrodo anodico modula l'eccitabilità dell'area mirata sinistra V1, mentre gli altri 4 elettrodi restituiscono correnti elettriche che scorrono via da quell'area. V1 sarà localizzato tramite procedure pubblicate e il posizionamento degli elettrodi sarà effettuato secondo il sistema 10-20 International EEG 10-20 per il posizionamento degli elettrodi.
Sham HD-tDCS verrà erogato su V5/MT sinistro o V1 sinistro. Verranno utilizzati lo stesso posizionamento degli elettrodi e l'impostazione della stimolazione come nelle condizioni di stimolazione attiva, ma la corrente verrà applicata per 30 s e verrà ridotta gradualmente (0 mA) durante il resto della sessione senza che i partecipanti se ne accorgano . .
Sperimentale: Sham, HD-tDCS V5/MT, HD-tDCS V1
  1. Sham HD-tDCS su V5/MT o V1
  2. HD-tDCS attivo su V5/MT
  3. HD-tDCS attivo su V1
Per HD-tDCS verrà utilizzato un montaggio 4 × 1 (Kessler et al., 2013), piccoli elettrodi circolari (diametro 1 cm) con l'anodo posizionato centralmente con un'intensità di corrente di 1 mA per un totale di 20 minuti (30 s rampa salita/discesa). In tal modo, l'elettrodo anodico modula l'eccitabilità dell'area mirata a sinistra V5/MT, mentre gli altri 4 elettrodi restituiscono correnti elettriche che scorrono via da quell'area. V5/MT sarà localizzato tramite procedure pubblicate e il posizionamento dell'elettrodo sarà effettuato secondo il sistema 10-20 International EEG 10-20 per il posizionamento degli elettrodi.
Per HD-tDCS verrà utilizzato un montaggio 4 × 1 (Kessler et al., 2013), piccoli elettrodi circolari (diametro 1 cm) con l'anodo posizionato centralmente con un'intensità di corrente di 1 mA per un totale di 20 minuti (30 s rampa salita/discesa). In tal modo, l'elettrodo anodico modula l'eccitabilità dell'area mirata sinistra V1, mentre gli altri 4 elettrodi restituiscono correnti elettriche che scorrono via da quell'area. V1 sarà localizzato tramite procedure pubblicate e il posizionamento degli elettrodi sarà effettuato secondo il sistema 10-20 International EEG 10-20 per il posizionamento degli elettrodi.
Sham HD-tDCS verrà erogato su V5/MT sinistro o V1 sinistro. Verranno utilizzati lo stesso posizionamento degli elettrodi e l'impostazione della stimolazione come nelle condizioni di stimolazione attiva, ma la corrente verrà applicata per 30 s e verrà ridotta gradualmente (0 mA) durante il resto della sessione senza che i partecipanti se ne accorgano . .
Sperimentale: Sham, HD-tDCS V1, HD-tDCS V5/MT
  1. Sham HD-tDCS su V5/MT o V1
  2. HD-tDCS attivo su V1
  3. HD-tDCS attivo su V5/MT
Per HD-tDCS verrà utilizzato un montaggio 4 × 1 (Kessler et al., 2013), piccoli elettrodi circolari (diametro 1 cm) con l'anodo posizionato centralmente con un'intensità di corrente di 1 mA per un totale di 20 minuti (30 s rampa salita/discesa). In tal modo, l'elettrodo anodico modula l'eccitabilità dell'area mirata a sinistra V5/MT, mentre gli altri 4 elettrodi restituiscono correnti elettriche che scorrono via da quell'area. V5/MT sarà localizzato tramite procedure pubblicate e il posizionamento dell'elettrodo sarà effettuato secondo il sistema 10-20 International EEG 10-20 per il posizionamento degli elettrodi.
Per HD-tDCS verrà utilizzato un montaggio 4 × 1 (Kessler et al., 2013), piccoli elettrodi circolari (diametro 1 cm) con l'anodo posizionato centralmente con un'intensità di corrente di 1 mA per un totale di 20 minuti (30 s rampa salita/discesa). In tal modo, l'elettrodo anodico modula l'eccitabilità dell'area mirata sinistra V1, mentre gli altri 4 elettrodi restituiscono correnti elettriche che scorrono via da quell'area. V1 sarà localizzato tramite procedure pubblicate e il posizionamento degli elettrodi sarà effettuato secondo il sistema 10-20 International EEG 10-20 per il posizionamento degli elettrodi.
Sham HD-tDCS verrà erogato su V5/MT sinistro o V1 sinistro. Verranno utilizzati lo stesso posizionamento degli elettrodi e l'impostazione della stimolazione come nelle condizioni di stimolazione attiva, ma la corrente verrà applicata per 30 s e verrà ridotta gradualmente (0 mA) durante il resto della sessione senza che i partecipanti se ne accorgano . .

Cosa sta misurando lo studio?

Misure di risultato primarie

Misura del risultato
Misura Descrizione
Lasso di tempo
Precisione della lettura del testo (compito di lettura sperimentale)
Lasso di tempo: durante la procedura

Modifica dell'accuratezza della lettura del testo rispetto al basale rispetto alle sessioni Active HD-tDCS su V5/MT rispetto a dopo Active HD-tDCS su sessioni V1 e Sham. L'accuratezza della lettura del testo è considerata come la percentuale (%) di accuratezza e calcolata come il rapporto tra il numero di stimoli letti correttamente e il numero totale di stimoli presentati moltiplicato per 100.

I punti temporali saranno pre- (baseline) vs sessione post-stimolazione.

durante la procedura
Velocità di lettura del testo (compito di lettura sperimentale)
Lasso di tempo: durante la procedura

Variazione della velocità di lettura del testo rispetto al basale rispetto alle sessioni HD-tDCS attive su V5/MT rispetto alle sessioni HD-tDCS attive su V1 e Sham. La velocità di lettura del testo è considerata come rapporto sillabe/secondi e calcolata dividendo il numero totale di sillabe pronunciate per il tempo totale impiegato per completare la lettura (in secondi).

I punti temporali saranno pre- (baseline) vs sessione post-stimolazione.

durante la procedura

Misure di risultato secondarie

Misura del risultato
Misura Descrizione
Lasso di tempo
Precisione della lettura delle parole (compito di lettura sperimentale)
Lasso di tempo: durante la procedura

Variazione dell'accuratezza della lettura delle parole rispetto al basale rispetto a dopo sessioni HD-tDCS attive su sessioni V5/MT rispetto a sessioni HD-tDCS attive su sessioni V1 e Sham. L'accuratezza della lettura delle parole è considerata come la percentuale (%) di accuratezza e calcolata come il rapporto tra il numero di stimoli letti correttamente e il numero totale di stimoli presentati moltiplicato per 100.

I punti temporali saranno pre- (baseline) vs sessione post-stimolazione.

durante la procedura
Velocità di lettura delle parole (attività di lettura sperimentale)
Lasso di tempo: durante la procedura

Variazione della velocità di lettura delle parole rispetto al basale rispetto alle sessioni HD-tDCS attive su V5/MT rispetto alle sessioni HD-tDCS attive su V1 e Sham. La velocità di lettura delle parole è considerata come il rapporto sillabe/secondi e calcolata dividendo il numero totale di sillabe pronunciate per il tempo totale impiegato per completare la lettura (in secondi).

I punti temporali saranno pre- (baseline) vs sessione post-stimolazione.

durante la procedura
Precisione della lettura non di parole (compito di lettura sperimentale)
Lasso di tempo: durante la procedura

Variazione dell'accuratezza della lettura non di parole rispetto al basale rispetto a dopo sessioni HD-tDCS attive su sessioni V5/MT rispetto a dopo sessioni HD-tDCS attive su sessioni V1 e Sham. L'accuratezza della lettura non di parole è considerata come la percentuale (%) di accuratezza e calcolata come il rapporto tra il numero di stimoli letti correttamente e il numero totale di stimoli presentati moltiplicato per 100.

I punti temporali saranno pre- (baseline) vs sessione post-stimolazione.

durante la procedura
Velocità di lettura non di parole (compito di lettura sperimentale)
Lasso di tempo: durante la procedura

Variazione della velocità di lettura non di parole rispetto al basale rispetto a dopo le sessioni Active HD-tDCS su sessioni V5/MT rispetto a dopo Active HD-tDCS su sessioni V1 e Sham. La velocità di lettura delle non parole è considerata come rapporto sillabe/secondi e calcolata dividendo il numero totale di sillabe pronunciate per il tempo totale impiegato per completare la lettura (in secondi).

I punti temporali saranno pre- (baseline) vs sessione post-stimolazione.

durante la procedura
Percezione del movimento dell'emisfero visivo destro (compito di lettura sperimentale)
Lasso di tempo: durante la procedura

Cambiamento nella percezione del movimento dell'emisfero visivo destro rispetto al basale rispetto a dopo sessioni HD-tDCS attive su sessioni V5/MT rispetto a dopo sessioni HD-tDCS attive su sessioni V1 e Sham. La percezione del movimento dell'emisfero visivo destro è considerata come il numero di saccadi corrette.

I punti temporali saranno pre- (baseline) vs sessione post-stimolazione.

durante la procedura
Lettera e numero di denominazione automatizzati rapidi (attività di lettura sperimentale)
Lasso di tempo: durante la procedura

Modifica della lettera e del numero di denominazione automatizzati rapidi rispetto al basale rispetto a dopo le sessioni Active HD-tDCS su V5/MT rispetto a dopo Active HD-tDCS su sessioni V1 e Sham. La lettera e il numero di denominazione automatizzati rapidi sono considerati come il tempo totale impiegato (in secondi) per completare l'attività.

I punti temporali saranno pre- (baseline) vs sessione post-stimolazione.

durante la procedura
Combinazione di fonemi (compito di lettura sperimentale)
Lasso di tempo: durante la procedura

Cambiamento nella fusione dei fonemi rispetto al basale rispetto a dopo le sessioni HD-tDCS attivo su V5/MT rispetto a dopo le sessioni HD-tDCS attivo su V1 e Sham. La fusione dei fonemi è considerata come il numero di fonemi miscelati correttamente.

I punti temporali saranno pre- (baseline) vs sessione post-stimolazione.

durante la procedura
Movimenti oculari durante la lettura (attività di lettura sperimentale)
Lasso di tempo: durante la procedura

Variazione dei movimenti oculari rispetto al basale rispetto a dopo la lettura durante le sessioni Active HD-tDCS su V5/MT rispetto a dopo Active HD-tDCS su sessioni V1 e Sham. I movimenti oculari durante la lettura sono considerati come il numero di saccadi e il numero di soste.

I punti temporali saranno pre- (baseline) vs sessione post-stimolazione.

durante la procedura
EEG spontaneo (attività di lettura sperimentale)
Lasso di tempo: durante la procedura

Variazione dell'EEG spontaneo rispetto al basale rispetto a dopo sessioni HD-tDCS attive su sessioni V5/MT rispetto a dopo sessioni HD-tDCS attive su sessioni V1 e Sham. L'EEG spontaneo è considerato come la frequenza alfa-picco individuale e le oscillazioni beta e theta/gamma.

I punti temporali saranno pre- (baseline) vs sessione post-stimolazione.

durante la procedura

Collaboratori e investigatori

Qui è dove troverai le persone e le organizzazioni coinvolte in questo studio.

Pubblicazioni e link utili

La persona responsabile dell'inserimento delle informazioni sullo studio fornisce volontariamente queste pubblicazioni. Questi possono riguardare qualsiasi cosa relativa allo studio.

Pubblicazioni generali

Studiare le date dei record

Queste date tengono traccia dell'avanzamento della registrazione dello studio e dell'invio dei risultati di sintesi a ClinicalTrials.gov. I record degli studi e i risultati riportati vengono esaminati dalla National Library of Medicine (NLM) per assicurarsi che soddisfino specifici standard di controllo della qualità prima di essere pubblicati sul sito Web pubblico.

Studia le date principali

Inizio studio (Stimato)

1 settembre 2023

Completamento primario (Stimato)

31 agosto 2026

Completamento dello studio (Stimato)

31 agosto 2026

Date di iscrizione allo studio

Primo inviato

25 luglio 2023

Primo inviato che soddisfa i criteri di controllo qualità

25 luglio 2023

Primo Inserito (Effettivo)

2 agosto 2023

Aggiornamenti dei record di studio

Ultimo aggiornamento pubblicato (Effettivo)

4 agosto 2023

Ultimo aggiornamento inviato che soddisfa i criteri QC

2 agosto 2023

Ultimo verificato

1 agosto 2023

Maggiori informazioni

Termini relativi a questo studio

Piano per i dati dei singoli partecipanti (IPD)

Hai intenzione di condividere i dati dei singoli partecipanti (IPD)?

NO

Informazioni su farmaci e dispositivi, documenti di studio

Studia un prodotto farmaceutico regolamentato dalla FDA degli Stati Uniti

No

Studia un dispositivo regolamentato dalla FDA degli Stati Uniti

No

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