Terapia con Láser de Baja Intensidad y Expresión de VEGF, NO, VEGFR-2, HIF-1α en Úlceras de Pie Diabético

Los defectos en los vasos y la neovascularización hacen que las heridas crónicas diabéticas sean difíciles de tratar. Una disminución de la expresión del factor angiogénico, como el factor de crecimiento endotelial vascular (VEGF) y sus receptores, está involucrada en la inhibición de la angiogénesis en las úlceras diabéticas. LLLT como modalidad de tratamiento terapéutico puede afectar la liberación de estos factores y la angiogénesis en el sitio de la herida.

El propósito de este estudio es examinar los cambios de factores que incluyen VEGF, VEGFReceptor-2, óxido nítrico y factor inducible por hipoxia 1α (HIF-1α), mediciones de saturación de oxígeno en sangre periférica y área de superficie de herida en úlceras isquémicas de pie diabético. después de LLLT, por lo tanto, los investigadores pueden evaluar el proceso molecular de la angiogénesis, como un mecanismo de efectos útiles de LLLT.

Para los pacientes con úlceras isquémicas del pie diabético (UPD) asignados a LLLT con láser de Ga-As (904 nm) y grupos de placebo y serán tratados durante 12 sesiones, cada dos días. En la primera y última (duodécima) sesión de tratamiento, antes y después de la intervención, se extraen muestras de sangre de todos los pacientes de ambos grupos para la medición de VEGF, VEGFreceptor-2, NO y HIF-1α. El área de superficie de la herida y la saturación de oxígeno de la sangre periférica y el índice tobillo-brazo (ABI) se miden en el primer y duodécimo tratamiento.